Arm 和三星代工厂携手推进 7nm与先进工艺

在超深亚微米工艺节点创新方面已合作多年的 Arm 与三星代工厂宣布双方合作之旅的新里程碑：为期待已久的极紫外 (EUV) 光刻技术, 提供首款 7LPP (7nm Low Power Plus) 和 5LPE (5nm Low Power Early) 库面市。这是 Arm 与三星代工厂 12 年成功合作旅程的最新成果，双方从 65nm 工艺开始不断推出新技术和产品库。利用 Arm 独特的 IP 集成能力，三星代工厂可使用 Arm 物理和处理器 IP 验证其最顶级节点的设计就绪状态。 

三星代工厂的 EUV 特性和优点

EUV 是芯片设计的重要变革。它可降低 7nm 设计实施的复杂性。制造商可将三个或四个光刻层变为一个光刻层，并将多个图层变成单个图层，从而大大缩短处理周期时间，缩小芯片尺寸。此外，由于采用比多色图层更严格的设计规则，EUV 还可实现更紧凑的布局。

三星代工厂最新的 7LPP EUV 制造工艺采用高能 EUV 光源生产具有超精细设备特性的芯片，临界尺寸只有 7nm。作为对比，常见的病毒细胞为 10nm 宽，微观 DNA 链的宽度约为 2.5nm，而一个硅原子的宽度略低于 1nm。

三星电子市场营销副总裁 Ryan Lee 表示：“7LPP 和 5LPE 工艺技术可实现 EUV 光科技术的优势， 同时降低这些先进技术节点的布局复杂性和设计开发时间。通过在开发初期与 Arm 合作，并借助各种设计技术联合优化技巧 ，我们优化了制造和设计流程。针对 7LPP 和 5LPE 的 Arm Artisan IP 基础平台就是建立在这种合作之上的，客户能够提前获取我们针对下一代设计的差异化 EUV 解决方案。”

除了这一先进技术之外，三星最近还推出了 SAFE TM（三星高级代工厂生态系统）计划，以期提供全面的设计解决方案。Arm 是 SAFE TM 计划的战略成员之一，为生态系统和客户提供领先的联合优化物理 IP 解决方案，以期增强下一代 SoC 设计。